等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相淀積（PECVD）是化學(xué)氣相淀積的一種，其特點(diǎn)是在低溫下利用等離子體的激活作用來(lái)增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是沉積溫度低，沉積速率快，而且制得的薄膜具有優(yōu)良的電學(xué)性能、良好的襯底附著性以及**的臺(tái)階覆蓋性。 

PECVD氣相沉積應(yīng)用領(lǐng)域：

等離子增強(qiáng)CVD系統(tǒng)可以用于：石墨烯制備、硫化物制備、納米材料制備等多種試驗(yàn)場(chǎng)所。可在片狀或類(lèi)似形狀樣品表面沉積SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、納米硅、SiC、類(lèi)金剛石等多種薄膜，并可沉積p型、n型摻雜薄膜。沉積的薄膜具有良好的均勻性、致密性、粘附性、絕緣性。廣泛應(yīng)用于刀具、高精模具、硬質(zhì)涂層、**裝飾等領(lǐng)域，PECVD氣相沉積在超大規(guī)模集成電路、光電器件、MEMS等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用.

技術(shù)參數(shù)：

產(chǎn)品名稱(chēng)	PECVD氣相沉積
產(chǎn)品型號(hào)	CY-PECVD-500T-SS
腔體尺寸	φ500
溫區(qū)長(zhǎng)度	200
射頻電源	500W-
溫度	1000℃-
前級(jí)泵	分子泵組
顯示類(lèi)型	T
溫區(qū)	I-
水冷機(jī)	CW5200
腔體材質(zhì)	SS
樣品加熱加熱溫度	RT-1000℃以上，溫控精度：±1°C，采用控溫表進(jìn)行控溫； 可調(diào)轉(zhuǎn)速：1-20rpm可調(diào)
噴淋頭尺寸	Φ90mm，噴淋頭與樣品之間電極間距40-100mm在線(xiàn)連續(xù)可調(diào)（可根據(jù)工藝調(diào)整），并帶有標(biāo)尺指數(shù)顯示
樣品臺(tái)	直徑200mm
沉積工作真空	0.133-133Pa（可根據(jù)工藝調(diào)整）
頂部法蘭	可通過(guò)馬達(dá)提升，基板更換方便，有可視口
基板臺(tái)	基板臺(tái)的線(xiàn)性和方位角運(yùn)動(dòng)，基板加熱和溫度控制，安裝臺(tái)和觸摸屏控制，基板線(xiàn)性運(yùn)動(dòng)是手動(dòng)控制的，基板旋轉(zhuǎn)是由直流電動(dòng)機(jī)控制的
真空腔體	前開(kāi)門(mén)式，φ500mm X 500mm 不銹鋼材質(zhì)
觀(guān)察窗	φ100mm 帶擋板
質(zhì)量流量計(jì)	六路質(zhì)量流量計(jì)
氣路數(shù)量	六路
承壓范圍	-0.15Mpa~0.15Mpa
量程	0~100 SCCM（氧氣） 0~100 SCCM（CF4） 0~200 SCCM （SF6） 0~200 SCCM （氬氣） 0~500 SCCM （其他氣體空氣） 0-500sccm （其他氣體氮?dú)猓?/span>
流量控制范圍	±1.5%
氣路材料	304不銹鋼
管道接口	6.35mm卡套接頭
真空系統(tǒng)	前級(jí)泵：無(wú)油真空泵4.7L/S 分子泵：1200L/S
測(cè)量范圍	1×10-5～1×105Pa
測(cè)量精度	1×10-5～1×10-4Pa ±40%的讀數(shù) 1×10-4～1×105Pa ±20%的讀數(shù)