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RTP快速退火爐主要用于完成材料制備過(guò)程中的快速熱處理工藝工作。
主要具備以下特點(diǎn):
1、更短的工藝時(shí)間;
2、更快的升、降溫速率;
3、處理基片時(shí)雜質(zhì)運(yùn)動(dòng)zui小;
4、減少顆粒沾污;
5、由于腔體體積不大,氣氛純度容易控制.
RTP快速退火爐應(yīng)用領(lǐng)域:
1、活化離子注入雜質(zhì),形成超薄結(jié)合。離子注入是半導(dǎo)體制造工藝中非常重要的一道工序,是用來(lái)把改變導(dǎo)電率的攙雜材料注入半導(dǎo)體晶片的標(biāo)準(zhǔn)工藝技術(shù)。
2、制作高質(zhì)量的 SiO,膜層。IC 制造對(duì)氧化膜層提出了很高的要求其中zui基本的要求使膜層更薄,采用傳統(tǒng)的技術(shù)即通過(guò)降低氧化反應(yīng)的溫度來(lái)降低氧化速率即會(huì)帶來(lái)另一個(gè)問(wèn)題,生長(zhǎng)溫度的降低會(huì)導(dǎo)致固定電荷和界面密度增加,影響氧化層質(zhì)量。RTP熱氧化工藝可以在合適的高溫下實(shí)現(xiàn)短時(shí)間的氧化。另一方面,可以利用往腔體內(nèi)通入氬或其它惰性氣體來(lái)稀釋氧氣達(dá)到降低氧化速率的目的。
3、用于金屬硅化物合金形成。RTP快速退火爐被廣泛地用于在器件中制備金屬硅化物。
RTP快速退火爐技術(shù)參數(shù):
產(chǎn)品名稱 |
RTP快速退火爐【管式】 |
產(chǎn)品型號(hào) |
CY-RTP1200-T4-L |
有效尺寸 |
Φ100mm |
基片尺寸 |
≦4英寸 |
升溫速率 |
A型為標(biāo)準(zhǔn)配置:≦100℃/S,供電要求:AC220V/50Hz,功率15KW |
降溫速率 |
200℃以上≤25min |
控溫模式 |
可預(yù)設(shè)曲線,按流程控溫 |
控溫精度 |
±1℃ |
工作溫度 |
≦1000℃ |
測(cè)溫位置 |
測(cè)溫點(diǎn)置于樣品處 |
密封法蘭 |
水冷式 |
工作真空 |
10-3Pa~105Pa均可 |
可通氣氛 |
可通:氮?dú)猓瑲鍤?,氧氣等非危險(xiǎn)、非腐蝕氣體 |
真空測(cè)量 |
標(biāo)準(zhǔn)配置:電阻規(guī),量程1Pa~105Pa |
選裝配置:復(fù)合真空計(jì),量程10-5Pa~105Pa |
|
真空系統(tǒng) |
標(biāo)準(zhǔn)配置:VRD-4真空泵1臺(tái) |
供電要求 |
要求配備32A2P空氣開關(guān),電源電壓AC220V/50Hz |
水冷機(jī)組 |
水箱容量9L,zui大揚(yáng)程10m |
整機(jī)尺寸 |
1200mm x 610mm x 570mm |
包裝尺寸 |
1475*700*800 |
包裝重量 |
180Kg |
隨機(jī)配件 |
1、說(shuō)明書1本 |
2、隨機(jī)配件1套 |
|
3、配件清單1份 |